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半导体级高真空球阀 |
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详细介绍 | |||||||||||||||||||||||
半导体级高真空球阀 半导体级高真空活套法兰球阀 半导体级高真空快接球阀 真空球阀 之前介绍JIS日标不锈钢截止阀标准,现在介绍半导体级高真空球阀半导体行业对清洁度的要求基于实际应用, 介绍了半导体设备真空结构和真空室常用部件, 讲述了He 质谱检漏仪的使用方法。总结了真空检漏的经验, 阐述了微漏难检的现状。分析了磁控溅射台和ICP 真空故障, 采用静压检漏法和He 质谱检漏仪检漏法, 给出了零部件微漏导致这些设备抽不上高真空的结论。指出今后的发展方向是真空部件小型化, 以及根据设备特点来提高真空部件的可靠性。结果表明, 先排除干扰因素, 再细心检漏, 可大大提高检漏效率, 使设备尽快恢复正常。 半导体级高真空球阀引言
这类设备有PECVD, RIE, ICP 等。常涉及到特殊气体和特殊反应物, 其真空室比较小, 常使用分子泵抽高真空。现以某ICP 为例进行说明, 真空结构如图2, 图2 真空室约30 L。出现故障后, 做3 min静压检漏, 真空室压强上升率超过允许值1.3 × 10- 1 Pa/ min, 达到10 Pa/min。用He 检漏仪进行检漏, 发现真空室顶针下方的叠片可伸缩波纹管漏, 拆下该波纹管, 维修后装回, 检漏发现该处已恢复正常。但是启动设备进行静压检漏时发现真空室压强上升率为1 Pa/ min, 仍然大于允许值。继续检漏, 停了分子泵, 没有停干泵, 发现门封漏率达1.4 × 10- 8 Pa.m3/ s。停了干泵, 真空室压强由6.5 Pa很快上升到30 Pa, 显然有气体通过真空管道漏到真空室。打开粗抽阀与干泵相连的端口进行检漏, 漏率为2 × 10- 8 Pa.m3/ s, 因此维修了该阀, 但是再检漏没有通过, 只能更换该阀门。将与分子泵相连的清洗阀拆下, 喷He 检门阀1, 发现门阀1 漏率为5 × 10- 8 Pa.m3/ s。将清洗阀装回, 拆下门阀修理后装回, 门阀恢复正常。然后, 在维修模式下用干泵抽真空室和分子泵腔室, 在保证门阀两侧压差<1 × 103 Pa的情况下打开门阀1, 使真空室和分子泵腔室连通, 检测分子泵上的管道和阀门, 没有发现新的问题。 半导体设备真空与检漏 - ICP真空结构高真空(压力)球阀是应用在真空系统中(又能适用一定的压力下)开启或切断气流的高真空球阀。本阀门结构紧凑,美观,密封座补偿设计。有自动补偿密封座磨损功能,启闭力矩小,寿命长等优点。适用的工作介质为带酸、碱性的各类气体或液体。
真空球阀性能特点: 图2 ICP 真空结构 上海申弘阀门有限公司主营阀门有:截止阀,电动截止阀zui后维修门封处的漏点。换门封密封圈, 漏率未见好转。仔细检查门封处的结构, 发现上盖有一个螺钉向下突出, 导致门封密封不好。但是将螺钉拆下比较困难, 因为这需松开上盖。上盖连有水冷管道, 限制了上盖移动范围; 上盖右侧通过转轴与真空室上平面相连, 同时上盖与真空室下方用弹力大的弹力杆顶着, 导致拆卸安装困难, 详情见图3。后来发现打开上盖, 弹力杆的弹力变得很小,这时方便拆装弹力杆; 松开两块档板后露出两个螺钉, 松开它们就可以松开转轴。就这样松开了上盖, 将下坠的螺钉向上拧紧, 再将上盖装好, 门封恢复正常。启动设备确认故障已修好。
半导体设备真空与检漏 - ICP真空结构 图3 ICP 真空室 6、结语 |